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Winbond Chip メモリーの耐性テスト |
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システム環境
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M / B
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EPoX EP-8RDA+Rev.2.1(030703) / BIOS：8rda3609.bin |
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C P U
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Athlon XP2500+ AQUCA 0306XPBW /Ratio：8.5
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Cooling
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CPU：KANIE Hedgehog-238M / North：ALPHA PAL6035T
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V G A
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ATI XPERT 98 PCI 8MB |
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H D D
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Maxtor 5T040H4 /U-DMA 5 (ATA100) |
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Power Supply
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AOpen FSP400-60GN |
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Voltage
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Vdd：1.8V（設定）/ Vio：3.50V（実測） / Vcore：1.60V（設定） |
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O S
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WinXP SP1 |
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Remarks
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室温25〜26℃ /ノースシンクのみ交換，他未改造 |
テスト条件
１．CPU倍率は8.5倍、Vddは1.8V（設定）に固定。
２．各メモリは同一ロットのものをDIMM１＆２に２枚差し。
３．エアコン等で室温を25〜26℃に維持。
４．メモリー設定とVdimmを変更し、SPI104万桁が完走したFSBを計測。
５．M/Bは電圧系は無改造のままだが、ノースシンクのみFAN付のもの
に交換した。 |
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その１ TwinMOS 基板 「CH-5」 (03/07/29) |
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１．Chip ：Winbond W942508 CH-50314WI
Base： GB3-211BX (TwinMOS PC3200 CL2.5 256MB)
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Memory Setting |
Type 1
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Type 2
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Type 3
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Type 4
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Type 5
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T (RS) |
5
|
5
|
5
|
7
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8
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T (RCD) |
2
|
3
|
2
|
3
|
4
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T (RP) |
2
|
2
|
2
|
3
|
4
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CAS Latency |
2.0
|
2.0
|
2.5
|
2.5
|
3.0
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MAX FSB / 2.63V |
219
|
229
|
219
|
228
|
233
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MAX FSB /2.77V |
224
|
232
|
224
|
232
|
234
|
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MAX FSB /2.90V |
224
|
232
|
225
|
232
|
232
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コメント
１．CPU倍率を5.5倍にすると、耐性が大幅（180〜190MHz）に下がった。
２．Vdimm電圧を2.77V以上に上げても、耐性は伸びなかった。
３．TRCDを2→3に緩めると耐性が10MHz程度向上した。
４．CAS Latencyを緩めても耐性は向上しなかった。
５．DDR400としては合格点だと思うが、ＯＣには不向き？のようだ。 |
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その２ A-DATA 基板 「BH-5」 (03/07/29) |
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２．Chip ：Winbond W942508 BH-52332D/234WD
Base： BDMA83A (A-DATA PC3200 CL2.5 256MB)
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Memory Setting |
Type 1
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Type 2
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Type 3
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Type 4
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Type 5
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T (RS) |
5
|
5
|
5
|
7
|
8
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|
T (RCD) |
2
|
3
|
2
|
3
|
4
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|
T (RP) |
2
|
2
|
2
|
3
|
4
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|
CAS Latency |
2.0
|
2.0
|
2.5
|
2.5
|
3.0
|
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MAX FSB / 2.63V |
205
|
217
|
205
|
217
|
N/A
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MAX FSB /2.77V |
219
|
226
|
219
|
228
|
N/A
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MAX FSB /2.90V |
229
|
234
|
229
|
234
|
N/A
|
コメント
１．CPU倍率を5.5倍にしても、耐性はほとんど変わらなかった。
２．耐性はVdimm電圧に依存し、電圧を上げるほど耐性は伸びた。
３．TRCDを2→3に緩めると耐性が5〜10MHz程度向上した。
４．CAS Latencyを緩めても耐性は向上しなかった。
５．8-4-4-3.0では、C1エラーで起動できなかった。
６．8RDA+改(A2)では、CL2/Vdimm：3.1VでFSB240MHzをオーバーした。 |
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その３ TwinMOS 基板 「BH-6」 (03/07/31) |
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３．Chip ：Winbond W942508 BH-63092E
Base： GB3-211B (TwinMOS PC2700 CL2.5 256MB)
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Memory Setting |
Type 1
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Type 2
|
Type 3
|
Type 4
|
Type 5
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T (RS) |
5
|
5
|
5
|
7
|
8
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|
T (RCD) |
2
|
3
|
2
|
3
|
4
|
|
T (RP) |
2
|
2
|
2
|
3
|
4
|
|
CAS Latency |
2.0
|
2.0
|
2.5
|
2.5
|
3.0
|
|
MAX FSB / 2.63V |
213
|
223
|
213
|
224
|
N/A
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|
MAX FSB /2.77V |
225
|
233
|
225
|
234
|
N/A
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|
MAX FSB /2.90V |
235
|
235
|
235
|
237
|
N/A
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コメント
１．CPU倍率を5.5倍にしても、耐性はほとんど変わらなかった。
なお、MAX Go!Go!では、FSB234で1分6秒が出た。
２．耐性はVdimm電圧に依存し、電圧を上げるほど耐性は伸びた。
３．TRCDを2→3に緩めると耐性が10MHz程度向上した。
４．M/Bの限界の為、MAXFSBは235MHz止まりであった。
５．CAS Latencyを緩めても耐性は向上しなかった。
６．BH-6も8-4-4-3.0では、C1エラーで起動できなかった。
７．2GGPモード（FSB234MHz起動）で、46秒が出た。
８．今回検証を行ったメモリの中では、最も低価格かつ高耐性だった。 |
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その４ Kingston-KHX3500 （１枚差し） (03/07/31) |
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４．Chip ： N/A (Winbond Chip)
Base： N/A (Kingston PC3500 CL2 256MB)
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Memory Setting |
Type 1
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Type 2
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Type 3
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Type 4
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Type 5
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T (RS) |
5
|
5
|
5
|
7
|
8
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T (RCD) |
2
|
3
|
2
|
3
|
4
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|
T (RP) |
2
|
2
|
2
|
3
|
4
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|
CAS Latency |
2.0
|
2.0
|
2.5
|
2.5
|
3.0
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MAX FSB / 2.63V |
202
|
215
|
202
|
215
|
N/A
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MAX FSB / 2.77V |
215
|
224
|
215
|
224
|
N/A
|
|
MAX FSB / 2.90V |
226
|
231
|
226
|
232
|
N/A
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コメント
１．２枚差しにすると、耐性が大幅（185〜190MHz）に下がるため、
DIMM２に１枚差しとして耐性テストを行った。(T_T)
２．耐性はVdimm電圧に依存し、電圧を上げるほど耐性は伸びた。
３．TRCDを2→3に緩めると耐性が10MHz程度向上した。
４．CAS Latencyを緩めても耐性は向上しなかった。
５．KHX-3500も8-4-4-3.0では、C1エラーで起動できなかった。
６．8K9AIでは、CL2でもFSB260MHZをオーバーしたメモリであったが、
8RDA+ Rev.2.1ではDDR400としても使用できなかった。(T_T) |
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その５ メモリー設定別グラフ (03/07/31) |
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Type 1 ： 5-2-2-2.0
Type 2 ： 5-3-2-2.0
Type 3 ： 5-2-2-2.5
Type 4 ：7-3-3-2.5
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